通訊系統(tǒng)中率降壓型變換器的設計考慮
目前，通訊系統(tǒng)要求越來越快的處理速度，其內(nèi)部集成芯片、處理器單元等電路消耗的電流也越來越大。同時，為減小系統(tǒng)的體積和尺寸，內(nèi)部的低壓大電流的DC/DC 變換器不斷向頻、方向發(fā)展。頻率的提帶來了系統(tǒng)變換效率的降低。此外，范圍內(nèi)的能源危機和環(huán)境污染提出了減排的要求，因此，基于頻的變換器必須采用的器件，以系統(tǒng)既能工作在頻下，實現(xiàn)小尺寸小體積，又能提系統(tǒng)的整體效率，達到減排的目的。整體效率的提，進步降低了電源系統(tǒng)的發(fā)熱量，提了系統(tǒng)的。通訊系統(tǒng)內(nèi)部的系統(tǒng)板使用了大量的降壓型變換器，本文將詳細的討論這種變換器的設計。 降壓型變換器工作特點 在通訊系統(tǒng)的系統(tǒng)板上，前通常是從-48V電源通過電源或電源模塊得到12V或24V輸出，也有采用3.3或5V輸出。目前基于ATCA的通訊系統(tǒng)大多采用12V的中間母線架構，然后再由降壓型變換器將12V向下轉(zhuǎn)換為3.3、5V、2.5V、1.8V、1.25V等多種不同的電壓。常規(guī)的降壓型變換器續(xù)流管采用肖特基二管，而同步降壓型變換器下面的續(xù)流管卻使用功率MOSFET。由于功率MOSFET的導通電阻Rds（on）小，導通電壓也遠遠低于肖特基二管的正向壓降，所以效率。因此，對于低壓大電流的輸出，通常利用同步的降壓型變換器獲得較的效率。 對于降壓型變換器，有以下的公式： Vo=Don×Vin 其中， 為占空比。當輸入電壓較時，占空比就小。因此，當輸入電壓，而輸入電壓較低，即輸入輸出的電壓差較大時，在個開關周期，上部主功率開關管導通的時間將減小，而下部續(xù)流開關管導通的時間將延長。圖1為上部MOSFET管和下部MOSFET管的工作波形，陰影為產(chǎn)生開關損耗的部分。 （a） 上管的開關波形 （b） 下管的開關波形 上部MOSFET管在開關的瞬態(tài)過程中產(chǎn)生明顯的開關損耗，同時MOSFET導通電阻Rds（on）也將產(chǎn)生的導通損耗。平均導通損耗與占空比和導通電阻Rds（on）成正比。對于基于ATCA的通訊系統(tǒng)，其輸入電壓為12V，輸入輸出的電壓差大，占空比小，因此導通損耗相對較小，而開關損耗占較大比例。開關損耗主要與開關頻率及MOSFET在開關過程中持續(xù)的時間成正比。開關持續(xù)的時間與MOSFET漏柵米勒電容的直接相關。米勒電容小，開關持續(xù)時間短，則開關損耗低。因此，對于上部MOSFET管的功率損耗，必須同時考慮開關損耗和導通損耗。為降低導通電阻Rds（on），MOSFET通常要采用大面積的晶圓，這樣就可以得到多的小單元，多個小單元并聯(lián)后的總導通電阻Rds（on）就低。但與此同時，這也會增加漏和柵的相對面積，從而增大漏和柵米勒電容。 從波形可以看到，對于下部MOSFET管在開關的瞬態(tài)過程中，沒有產(chǎn)生明顯的開關損耗。通常MOSFET的關斷是個自然的0電壓的關斷，因為在MOSFET的漏和源有個寄生的電容。由于電容的電壓不能突變，所以在關斷的過程瞬態(tài)過程中，漏和源電壓幾乎為0。這樣在關斷的過程中，電壓與電流的乘積也就是關斷的功耗為0。對于MOSFET，要想實現(xiàn)0電壓的開關ZVS，關鍵要實現(xiàn)其0電壓開通。 為防止上下管直通，同步降壓型變換器的上下管通常有個死區(qū)時間。在死區(qū)的時間內(nèi)，上下管均關斷。當上管關斷后，由于輸出電感的電流不能突變，必須維持原來的方向流動，所以下部功率MOSFET內(nèi)部寄生二管導通。寄生二管導通后，下部MOSFET的漏和源的電壓為二管的正向壓降，幾乎為0，因此在寄生二管導通后，MOSFET再導通，其導通是0電壓的導通，開通損耗為幾乎0。這樣下管是個0電壓 的開關，開關損耗幾乎0。因此在下管中，主要是由導通電阻Rds（on）形成導通損耗。下管的選取主要考慮盡量選用低導通電阻Rds（on）的產(chǎn)品。 此外，為減小在死區(qū)時間內(nèi)體內(nèi)寄生二管產(chǎn)生的正向壓降功耗和反向恢復帶來的功耗，通常會并聯(lián)個正向壓降低、反向恢復時間短的肖特基二管。過去主要是在下管MOSFET的外部并聯(lián)個肖特基二管，現(xiàn)在通常將肖特基二管集成在下部MOSFET管內(nèi)部。起初是將個單的肖特基二管和個MOSFET封裝在起，后來是將它們做在個晶圓上。將個晶圓分成二個區(qū)，個區(qū)做MOSFET，個區(qū)做肖特基二管。 二管具有負溫度系數(shù)，并聯(lián)工作不太。在個晶圓上分成二個區(qū)做MOSFET和肖特基二管，那么肖特基二管在與MOSFET交界的區(qū)域溫度，而離MOSFET較遠的區(qū)域溫度低。當肖特基二管溫度時，流過大的電流，因此與MOSFET交界的肖特基二管區(qū)域的溫度將進步上升，可能導致局部損壞。現(xiàn)在通常將肖特基二管的單元做到MOSFET的單元里面，這樣可能得到好的熱平衡，提器件。 
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